Examples



mdbootstrap.com



Публикации
Работа Год
Gold-gallium arsenide surface-barrier junctions
N. K. Maksimova N. K. Maksimova , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , A. A. Zharov A. A. Zharov
Хімія та сучасні технології, 1968, T. 11, p. 58–59
https://doi.org/10.1007/BF00816221
1968
Structure of junctions between alloy contacts and gallium arsenide
A. M. Misik A. M. Misik , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , I. F. Druzhntkin I. F. Druzhntkin
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 1305–1306
https://doi.org/10.1007/BF00826897
1971
Effect of the conditions of formation on the electrical properties of germanium alloy p-n-junctions
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , V. P. Voronkov V. P. Voronkov
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 977–979
https://doi.org/10.1007/BF00822239
1971
Photoresponse at a semiconductor-metal point contact
A. A. Vilisov A. A. Vilisov , V. P. Voronkov V. P. Voronkov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , L. A. Zaikov L. A. Zaikov
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 980–982
https://doi.org/10.1007/BF00822240
1971
Stress at alloyed metal contacts with silicon and gallium arsenide
A. M. Misik A. M. Misik , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 295–299
https://doi.org/10.1007/BF00822256
1971
Transport mechanism at a metal-gallium arsenide contact
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , N. K. Maksimova N. K. Maksimova , G. V. Zhivotov G. V. Zhivotov , Yu. A. Zotov Yu. A. Zotov
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 61–65
https://doi.org/10.1007/BF00819861
1971
Work function and electrical conductivity of germanium for various crystallographic orientations of the surface
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , A. A. Shirokov A. A. Shirokov
Російський фізичний журнал, 1972, T. 15, p. 1021–1025
https://doi.org/10.1007/BF00894691
1972
The behavior of copper impurity in CdSnAs2
O. V. Voevodina O. V. Voevodina , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , V. G. Voevodin V. G. Voevodin , Ya. I. Otman Ya. I. Otman , V. L. Ots V. L. Ots
Російський фізичний журнал, 1973, T. 16, p. 923–927
https://doi.org/10.1007/BF00891504
1973
The photoelectric characteristics of alloyed Ge-GaAs junctions
V. F. Baryshnikov V. F. Baryshnikov , V. P. Voronkov V. P. Voronkov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , A. A. Vilisov A. A. Vilisov
Російський фізичний журнал, 1973, T. 16, p. 869–871
https://doi.org/10.1007/BF00895713
1973
Crystallographic anisotropy in the surface properties of oxidized germanium
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , A. A. Shirokov A. A. Shirokov
Російський фізичний журнал, 1973, T. 16, p. 68–71
https://doi.org/10.1007/BF00893344
1973
Anisotropy of the surface properties of germanium in contact with an electrolyte containing gold ions
V. G. Bozhkov V. G. Bozhkov , A. A. Shirokov A. A. Shirokov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал, 1974, T. 17, p. 977–982
https://doi.org/10.1007/BF00891071
1974
Preparation and study of p-n junction structures based on solid solutions AlxGa1-xSb
V. P. Germogenov V. P. Germogenov , A. A. Vilisov A. A. Vilisov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал, 1975, T. 18, p. 1265–1269
https://doi.org/10.1007/BF00892719
1975
Fast surface states activated by silver ions on a germanium-neutral electrolyte interface
A. A. Shirokov A. A. Shirokov , V. G. Bozhkov V. G. Bozhkov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал, 1975, T. 18, p. 1137–1141
https://doi.org/10.1007/BF01110037
1975
Influence of copper ions and the crystallographic orientation on the surface properties of germanium in contact with an electrolyte
A. A. Shirokov A. A. Shirokov , V. G. Bozhkov V. G. Bozhkov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал, 1975, T. 18, p. 1142–1145
https://doi.org/10.1007/BF01110038
1975
Pressure sensitivity of the peak current of gallium arsenide tunnel diodes
E. M. Alekseeva E. M. Alekseeva , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , N. P. Krivorotov N. P. Krivorotov
Російський фізичний журнал, 1976, T. 19, p. 1163–1165
https://doi.org/10.1007/BF00891468
1976
Piezotunnel current in GaAs p-n junctions
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , N. P. Krivorotov N. P. Krivorotov
Російський фізичний журнал, 1977, T. 20, p. 390–394
https://doi.org/10.1007/BF00894856
1977
Effect of residual radiation-induced defects on characteristics of ion-implanted gallium arsenide p-n junctions
B. S. Azikov B. S. Azikov , V. N. Brudnyi V. N. Brudnyi , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , M. A. Krivov M. A. Krivov , V. M. Lupin V. M. Lupin , L. L. Shirokov L. L. Shirokov
Російський фізичний журнал, 1978, T. 21, p. 958–960
https://doi.org/10.1007/BF00892062
1978
Influence of copper impurity and structure defects on the properties of compound CdSnAs2
O. V. Voevodina O. V. Voevodina , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , T. V. Vedernikova T. V. Vedernikova , V. G. Voevodin V. G. Voevodin , M. A. Krivov M. A. Krivov , Ya. I. Otman Ya. I. Otman
Російський фізичний журнал, 1980, T. 23, p. 448–453
https://doi.org/10.1007/BF00891640
1980
Interphase interactions in a Pd-GaAs system and their effect on electrical properties of schottky-barrier structures I. effect of heat treatment on characteristics of GaAs-Pd/Ni contacts
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , N. K. Maksimova N. K. Maksimova , N. M. Panova N. M. Panova , E. N. Pekarskii E. N. Pekarskii , I. D. Romanova I. D. Romanova , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Російський фізичний журнал, 1981, T. 24, p. 295–298
https://doi.org/10.1007/BF00898256
1981
Phase interactions in the Pd-GaAs system and effects on structures with schottky barriers II. Examination of a gallium arsenide-metal interface by the secondary ion-ion emission method
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , L. G. Kositsin L. G. Kositsin , N. K. Maksimova N. K. Maksimova , A. M. Misik A. M. Misik , V. P. Yanovskii V. P. Yanovskii
Російський фізичний журнал, 1981, T. 24, p. 299–301
https://doi.org/10.1007/BF00898257
1981
Behavior of excess currents in n-type gallium arsenide tunnel diodes
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , V. A. Glushchenko V. A. Glushchenko , R. P. Parkhomenko R. P. Parkhomenko , A. P. Pastor A. P. Pastor
Російський фізичний журнал, 1981, T. 24, p. 275–278
https://doi.org/10.1007/BF00891607
1981
Investigation of the band spectrum of semiconductors by means of a tunnel diode under pressure
Z. M. Alekseeva Z. M. Alekseeva , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , A. P. Dmitriev A. P. Dmitriev
Російський фізичний журнал, 1981, T. 24, p. 167–171
https://doi.org/10.1007/BF00895366
1981
Defects in Schottky barrier structures
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , N. K. Maksimova N. K. Maksimova
Російський фізичний журнал, 1983, T. 26, p. 952–963
https://doi.org/10.1007/BF00896649
1983
Formation of p-n junctions in tellurium-doped AlxGa1−xSb(As) (x = 0.15–0.20) solid solution layers
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , V. P. Germogenov V. P. Germogenov , Ya. I. Otman Ya. I. Otman , L. S. Khludkova L. S. Khludkova
Російський фізичний журнал, 1984, T. 27, p. 985–988
https://doi.org/10.1007/BF00902157
1984
Effect of electron irradiation on excess currents of GaSb tunnel diodes
Z. M. Alekseeva Z. M. Alekseeva , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , V. A. Glushchenko V. A. Glushchenko , A. P. Dmitriev A. P. Dmitriev , A. I. Zakharevskii A. I. Zakharevskii , R. P. Parkhomenko R. P. Parkhomenko
Російський фізичний журнал, 1984, T. 27, p. 620–624
https://doi.org/10.1007/BF00897462
1984
Thermal instability of peak current in tunnel diodes
A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , Yu. M. Kalinin Yu. M. Kalinin
Російський фізичний журнал, 1985, T. 28, p. 1018–1022
https://doi.org/10.1007/BF00899097
1985
Anomalous tensoelectric effects in gallium arsenide tunnel diodes
Z. M. Alekseeva Z. M. Alekseeva , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , N. P. Krivorotov N. P. Krivorotov , A. A. Shchegol' A. A. Shchegol'
Російський фізичний журнал, 1987, T. 30, p. 716–720
https://doi.org/10.1007/BF00895951
1987
Anomalous tensoelectric effects in gallium arsenide tunnel diodes
Z. M. Alekseeva Z. M. Alekseeva , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin , A. A. Shchegol' A. A. Shchegol'
Хімія та сучасні технології, 1987, T. 30, p. 716–720
https://doi.org/10.1007/BF00895951
1987
Structure and properties of interphase boundaries of gallium arsenide-metal (dielectric)
N. K. Maksimova N. K. Maksimova , V. M. Kalygina V. M. Kalygina , V. P. Voronkov V. P. Voronkov , A. P. Vyatkin A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал, 1993, T. 36, p. 935–943
https://doi.org/10.1007/BF00559157
1993
Работа Год