Gold-gallium arsenide surface-barrier junctions
N. K. Maksimova
,
A. P. Vyatkin
,
A. A. Zharov
Хімія та сучасні технології,
1968,
T. 11, p. 58–59
https://doi.org/10.1007/BF00816221
|
1968 |
Structure of junctions between alloy contacts and gallium arsenide
A. M. Misik
,
A. P. Vyatkin
,
I. F. Druzhntkin
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 1305–1306
https://doi.org/10.1007/BF00826897
|
1971 |
Effect of the conditions of formation on the electrical properties of germanium alloy p-n-junctions
A. P. Vyatkin
,
V. P. Voronkov
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 977–979
https://doi.org/10.1007/BF00822239
|
1971 |
Photoresponse at a semiconductor-metal point contact
A. A. Vilisov
,
V. P. Voronkov
,
A. P. Vyatkin
,
L. A. Zaikov
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 980–982
https://doi.org/10.1007/BF00822240
|
1971 |
Stress at alloyed metal contacts with silicon and gallium arsenide
A. M. Misik
,
A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 295–299
https://doi.org/10.1007/BF00822256
|
1971 |
Transport mechanism at a metal-gallium arsenide contact
A. P. Vyatkin
,
N. K. Maksimova
,
G. V. Zhivotov
,
Yu. A. Zotov
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 61–65
https://doi.org/10.1007/BF00819861
|
1971 |
Work function and electrical conductivity of germanium for various crystallographic orientations of the surface
A. P. Vyatkin
,
A. A. Shirokov
Російський фізичний журнал,
1972,
T. 15, p. 1021–1025
https://doi.org/10.1007/BF00894691
|
1972 |
The behavior of copper impurity in CdSnAs2
O. V. Voevodina
,
A. P. Vyatkin
,
V. G. Voevodin
,
Ya. I. Otman
,
V. L. Ots
Російський фізичний журнал,
1973,
T. 16, p. 923–927
https://doi.org/10.1007/BF00891504
|
1973 |
The photoelectric characteristics of alloyed Ge-GaAs junctions
V. F. Baryshnikov
,
V. P. Voronkov
,
A. P. Vyatkin
,
A. A. Vilisov
Російський фізичний журнал,
1973,
T. 16, p. 869–871
https://doi.org/10.1007/BF00895713
|
1973 |
Crystallographic anisotropy in the surface properties of oxidized germanium
A. P. Vyatkin
,
A. A. Shirokov
Російський фізичний журнал,
1973,
T. 16, p. 68–71
https://doi.org/10.1007/BF00893344
|
1973 |
Anisotropy of the surface properties of germanium in contact with an electrolyte containing gold ions
V. G. Bozhkov
,
A. A. Shirokov
,
A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал,
1974,
T. 17, p. 977–982
https://doi.org/10.1007/BF00891071
|
1974 |
Preparation and study of p-n junction structures based on solid solutions AlxGa1-xSb
V. P. Germogenov
,
A. A. Vilisov
,
A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал,
1975,
T. 18, p. 1265–1269
https://doi.org/10.1007/BF00892719
|
1975 |
Fast surface states activated by silver ions on a germanium-neutral electrolyte interface
A. A. Shirokov
,
V. G. Bozhkov
,
A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал,
1975,
T. 18, p. 1137–1141
https://doi.org/10.1007/BF01110037
|
1975 |
Influence of copper ions and the crystallographic orientation on the surface properties of germanium in contact with an electrolyte
A. A. Shirokov
,
V. G. Bozhkov
,
A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал,
1975,
T. 18, p. 1142–1145
https://doi.org/10.1007/BF01110038
|
1975 |
Pressure sensitivity of the peak current of gallium arsenide tunnel diodes
E. M. Alekseeva
,
A. P. Vyatkin
,
N. P. Krivorotov
Російський фізичний журнал,
1976,
T. 19, p. 1163–1165
https://doi.org/10.1007/BF00891468
|
1976 |
Piezotunnel current in GaAs p-n junctions
A. P. Vyatkin
,
N. P. Krivorotov
Російський фізичний журнал,
1977,
T. 20, p. 390–394
https://doi.org/10.1007/BF00894856
|
1977 |
Effect of residual radiation-induced defects on characteristics of ion-implanted gallium arsenide p-n junctions
B. S. Azikov
,
V. N. Brudnyi
,
A. P. Vyatkin
,
M. A. Krivov
,
V. M. Lupin
,
L. L. Shirokov
Російський фізичний журнал,
1978,
T. 21, p. 958–960
https://doi.org/10.1007/BF00892062
|
1978 |
Influence of copper impurity and structure defects on the properties of compound CdSnAs2
O. V. Voevodina
,
A. P. Vyatkin
,
T. V. Vedernikova
,
V. G. Voevodin
,
M. A. Krivov
,
Ya. I. Otman
Російський фізичний журнал,
1980,
T. 23, p. 448–453
https://doi.org/10.1007/BF00891640
|
1980 |
Interphase interactions in a Pd-GaAs system and their effect on electrical properties of schottky-barrier structures I. effect of heat treatment on characteristics of GaAs-Pd/Ni contacts
A. P. Vyatkin
,
N. K. Maksimova
,
N. M. Panova
,
E. N. Pekarskii
,
I. D. Romanova
,
M. P. Yakubenya
Російський фізичний журнал,
1981,
T. 24, p. 295–298
https://doi.org/10.1007/BF00898256
|
1981 |
Phase interactions in the Pd-GaAs system and effects on structures with schottky barriers II. Examination of a gallium arsenide-metal interface by the secondary ion-ion emission method
A. P. Vyatkin
,
L. G. Kositsin
,
N. K. Maksimova
,
A. M. Misik
,
V. P. Yanovskii
Російський фізичний журнал,
1981,
T. 24, p. 299–301
https://doi.org/10.1007/BF00898257
|
1981 |
Behavior of excess currents in n-type gallium arsenide tunnel diodes
A. P. Vyatkin
,
V. A. Glushchenko
,
R. P. Parkhomenko
,
A. P. Pastor
Російський фізичний журнал,
1981,
T. 24, p. 275–278
https://doi.org/10.1007/BF00891607
|
1981 |
Investigation of the band spectrum of semiconductors by means of a tunnel diode under pressure
Z. M. Alekseeva
,
A. P. Vyatkin
,
A. P. Dmitriev
Російський фізичний журнал,
1981,
T. 24, p. 167–171
https://doi.org/10.1007/BF00895366
|
1981 |
Defects in Schottky barrier structures
A. P. Vyatkin
,
N. K. Maksimova
Російський фізичний журнал,
1983,
T. 26, p. 952–963
https://doi.org/10.1007/BF00896649
|
1983 |
Formation of p-n junctions in tellurium-doped AlxGa1−xSb(As) (x = 0.15–0.20) solid solution layers
A. P. Vyatkin
,
V. P. Germogenov
,
Ya. I. Otman
,
L. S. Khludkova
Російський фізичний журнал,
1984,
T. 27, p. 985–988
https://doi.org/10.1007/BF00902157
|
1984 |
Effect of electron irradiation on excess currents of GaSb tunnel diodes
Z. M. Alekseeva
,
A. P. Vyatkin
,
V. A. Glushchenko
,
A. P. Dmitriev
,
A. I. Zakharevskii
,
R. P. Parkhomenko
Російський фізичний журнал,
1984,
T. 27, p. 620–624
https://doi.org/10.1007/BF00897462
|
1984 |
Thermal instability of peak current in tunnel diodes
A. P. Vyatkin
,
Yu. M. Kalinin
Російський фізичний журнал,
1985,
T. 28, p. 1018–1022
https://doi.org/10.1007/BF00899097
|
1985 |
Anomalous tensoelectric effects in gallium arsenide tunnel diodes
Z. M. Alekseeva
,
A. P. Vyatkin
,
N. P. Krivorotov
,
A. A. Shchegol'
Російський фізичний журнал,
1987,
T. 30, p. 716–720
https://doi.org/10.1007/BF00895951
|
1987 |
Anomalous tensoelectric effects in gallium arsenide tunnel diodes
Z. M. Alekseeva
,
A. P. Vyatkin
,
A. A. Shchegol'
Хімія та сучасні технології,
1987,
T. 30, p. 716–720
https://doi.org/10.1007/BF00895951
|
1987 |
Structure and properties of interphase boundaries of gallium arsenide-metal (dielectric)
N. K. Maksimova
,
V. M. Kalygina
,
V. P. Voronkov
,
A. P. Vyatkin
Російський фізичний журнал,
1993,
T. 36, p. 935–943
https://doi.org/10.1007/BF00559157
|
1993 |