Examples



mdbootstrap.com



Публикации
Работа Год
Basic laws and causes governing the formation of transitional layers in the autoepitaxy of gallium arsenide
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , V. A. Moskovkin V. A. Moskovkin
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 1525–1529
https://doi.org/10.1007/BF00823842
1971
Electron and impurity distributions in epitaxial n-type gallium arsenide
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , V. A. Moskovkii V. A. Moskovkii
Російський фізичний журнал, 1971, T. 14, p. 73–76
https://doi.org/10.1007/BF00819864
1971
Effects of crystallization temperature on the growth and doping of autoep it axial gallium arsenide films
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , Yu. M. Rumyantsev Yu. M. Rumyantsev , A. D. Shumkov A. D. Shumkov
Російський фізичний журнал, 1973, T. 16, p. 798–800
https://doi.org/10.1007/BF00895693
1973
Investigation of transitional layers in epitaxial gallium arsenide. Effect of the substrate processing method on the electron and dopant distributions
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , Yu. M. Rumyantsev Yu. M. Rumyantsev , A. D. Shumkov A. D. Shumkov
Російський фізичний журнал, 1973, T. 16, p. 711–712
https://doi.org/10.1007/BF00898817
1973
Preparation and investigation of some properties of epitaxial layers of the solid solution system
Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , L. G. Nesteryuk L. G. Nesteryuk , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Російський фізичний журнал, 1985, T. 28, p. 139–144
https://doi.org/10.1007/BF00912510
1985
Preparation and properties of epitaxial ZnGeP2 films
Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , V. G. Voevodin V. G. Voevodin , E. I. Drigolenko E. I. Drigolenko , L. G. Nesteryuk L. G. Nesteryuk , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Російський фізичний журнал, 1988, T. 31, p. 321–323
https://doi.org/10.1007/BF00892644
1988
Electrophysical properties of epitaxial gallium arsenide doped with acceptor impurities
M. D. Vilisova M. D. Vilisova , Yu. G. Kataev Yu. G. Kataev , N. A. Chernov N. A. Chernov , I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , I. V. Teterkina I. V. Teterkina , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva
Російський фізичний журнал, 1995, T. 38, p. 147–150
https://doi.org/10.1007/BF00560238
1995
Работа Год