Basic laws and causes governing the formation of transitional layers in the autoepitaxy of gallium arsenide
L. G. Lavrent'eva
,
Yu. G. Kataev
,
M. D. Vilisova
,
V. A. Moskovkin
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 1525–1529
https://doi.org/10.1007/BF00823842
|
1971 |
Electron and impurity distributions in epitaxial n-type gallium arsenide
L. G. Lavrent'eva
,
M. D. Vilisova
,
Yu. G. Kataev
,
V. A. Moskovkii
Російський фізичний журнал,
1971,
T. 14, p. 73–76
https://doi.org/10.1007/BF00819864
|
1971 |
Effects of crystallization temperature on the growth and doping of autoep it axial gallium arsenide films
L. G. Lavrent'eva
,
Yu. G. Kataev
,
Yu. M. Rumyantsev
,
A. D. Shumkov
Російський фізичний журнал,
1973,
T. 16, p. 798–800
https://doi.org/10.1007/BF00895693
|
1973 |
Investigation of transitional layers in epitaxial gallium arsenide. Effect of the substrate processing method on the electron and dopant distributions
L. G. Lavrent'eva
,
M. D. Vilisova
,
Yu. G. Kataev
,
Yu. M. Rumyantsev
,
A. D. Shumkov
Російський фізичний журнал,
1973,
T. 16, p. 711–712
https://doi.org/10.1007/BF00898817
|
1973 |
Preparation and investigation of some properties of epitaxial layers of the solid solution system
Yu. G. Kataev
,
L. G. Nesteryuk
,
M. P. Yakubenya
Російський фізичний журнал,
1985,
T. 28, p. 139–144
https://doi.org/10.1007/BF00912510
|
1985 |
Preparation and properties of epitaxial ZnGeP2 films
Yu. G. Kataev
,
I. A. Bobrovnikova
,
V. G. Voevodin
,
E. I. Drigolenko
,
L. G. Nesteryuk
,
M. P. Yakubenya
Російський фізичний журнал,
1988,
T. 31, p. 321–323
https://doi.org/10.1007/BF00892644
|
1988 |
Electrophysical properties of epitaxial gallium arsenide doped with acceptor impurities
M. D. Vilisova
,
Yu. G. Kataev
,
N. A. Chernov
,
I. A. Bobrovnikova
,
I. V. Teterkina
,
L. G. Lavrent'eva
Російський фізичний журнал,
1995,
T. 38, p. 147–150
https://doi.org/10.1007/BF00560238
|
1995 |