Examples



mdbootstrap.com



Публикации
Работа Год
Changes in the spectrum of surface states of Si−SiO2 structures stimulated by a weak magnetic field
V. N. Davydov V. N. Davydov , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 1997, T. 40, p. 794–798
https://doi.org/10.1007/BF02508815
1997
Electrical properties of surface barrier structures with a dielectric having a formed channel
V. N. Davydov V. N. Davydov , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 1997, T. 40, p. 481–485
https://doi.org/10.1007/BF02508779
1997
Electrical properties of Si-SiO2 systems after the application of a magnetic field
V. N. Davydov V. N. Davydov , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 1997, T. 40, p. 176–180
https://doi.org/10.1007/BF02806187
1997
Photoelectric properties of magnetically sensitive MOS structures
V. N. Davydov V. N. Davydov , O. G. Lanskaya O. G. Lanskaya , E. P. Lilenko E. P. Lilenko , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 1998, T. 41, p. 472–475
https://doi.org/10.1007/BF02766509
1998
Photoelectric properties of inhomogeneous Si-based mis structures
S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 1999, T. 42, p. 273–277
https://doi.org/10.1007/BF02508306
1999
Special Features of Local Photoelectrical Properties of Inhomogeneous Metal–Insulator–Semiconductor Structures
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , O. G. Lanskaya O. G. Lanskaya , E. P. Lilenko E. P. Lilenko
Российский физический журнал, 2000, T. 43, p. 1020–1022
https://doi.org/10.1023/A:1011307814598
2000
Photoelectric Properties of Photodetectors Based on Silicon–Platinum Silicide Schottky Barriers with a Highly-Doped Surface Layer
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , A. P. Kokhanenko A. P. Kokhanenko , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. I. Lyapunov S. I. Lyapunov , N. V. Komarov N. V. Komarov
Российский физический журнал, 2001, T. 44, p. 1139–1151
https://doi.org/10.1023/A:1015393305423
2001
Silicon–Platinum Silicide Schottky Barriers with a Highly-Doped Surface Layer
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , A. P. Kokhanenko A. P. Kokhanenko , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. I. Lyapunov S. I. Lyapunov , N. V. Komarov N. V. Komarov
Российский физический журнал, 2001, T. 44, p. 794–805
https://doi.org/10.1023/A:1013691432540
2001
Limiting Modes for the Threshold Characteristics of IR Photodetectors Based on Silicon–Platinum Silicide Barriers with a Highly-Doped Surface Layer
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , A. P. Kokhanenko A. P. Kokhanenko , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , V. N. Sokolov V. N. Sokolov
Российский физический журнал, 2002, T. 45, p. 511–515
https://doi.org/10.1023/A:1021044707919
2002
Threshold Characteristics of Infrared Photodetectors Based on GeSi/Si Heterojunctions
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , A. P. Kokhanenko A. P. Kokhanenko , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 2003, T. 46, p. 356–358
https://doi.org/10.1023/A:1025767707972
2003
The Influence of Resistance of the Epitaxial-Film Volume on the Capacity-Voltage Characteristics of the HgCdTe/AOF and HgCdTe/SiO2/Si3N4 MIS Structures
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2005, T. 48, p. 584–591
https://doi.org/10.1007/s11182-005-0174-2
2005
Photoelectrical Characteristics of MIS Structures on the Basis of Heteroepitaxial HgCdTe
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , A. P. Kokhanenko A. P. Kokhanenko , Yu. P. Mashukov Yu. P. Mashukov , T. I. Zakhar’yash T. I. Zakhar’yash , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , V. S. Varavin V. S. Varavin , Yu. G. Sidorov Yu. G. Sidorov , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov
Российский физический журнал, 2005, T. 48, p. 143–147
https://doi.org/10.1007/s11182-005-0097-y
2005
Photoelectrical characteristics of MIS structures on the basis of graded-band-gap n-HgCdTe (x = 0.21–0.23)
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , Yu. G. Sidorov Yu. G. Sidorov , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , T. I. Zakhar’yash T. I. Zakhar’yash , Yu. P. Mashukov Yu. P. Mashukov
Российский физический журнал, 2006, T. 49, p. 1117–1128
https://doi.org/10.1007/s11182-006-0232-4
2006
Calculation of thermal parameters of SiGe microbolometers
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , D. V. Grigoryev D. V. Grigoryev , V. A. Yuryev V. A. Yuryev , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 2007, T. 50, p. 1218–1225
https://doi.org/10.1007/s11182-008-9015-4
2007
Threshold characteristics of polycrystalline germanium silicide microbolometers
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov
Российский физический журнал, 2007, T. 50, p. 1226–1231
https://doi.org/10.1007/s11182-008-9014-5
2007
Investigation into MIS structures based on gradedband-gap hetero-epitaxial HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy using photo-emf and conductivity methods
A. V. Voitsekhovkii A. V. Voitsekhovkii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2009, T. 52, p. 1003–1020
https://doi.org/10.1007/s11182-010-9332-2
2009
Electrophysical characteristics of MIS structures based on graded band-gap MBE HgCdTe with grown in situ CdTe as a dielectric
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , Yu. G. Sidorov Yu. G. Sidorov , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , M. V. Yakushev M. V. Yakushev
Российский физический журнал, 2010, T. 53, p. 148–154
https://doi.org/10.1007/s11182-010-9399-9
2010
The electrical characteristics of MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.29–0.31) MIS structures with sharp inhomogeneities in composition
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , Yu. G. Sidorov Yu. G. Sidorov
Российский физический журнал, 2011, T. 54, p.
https://doi.org/10.1007/s11182-011-9609-0
2011
An Investigation into the Admittance of MIS-Structures Based on MBE HgCdTe with Quantum Wells
S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N.Mikhailov N. N.Mikhailov , D. I. Gorn D. I. Gorn
Российский физический журнал, 2013, T. 56, p. 778–784
https://doi.org/10.1007/s11182-013-0099-0
2013
The photoelectrical properties of MIS structures based on heteroepitaxial n-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23)
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , Yu. G. Sidorov Yu. G. Sidorov , M. V. Yakushev M. V. Yakushev
Российский физический журнал, 2013, T. 55, p. 917–924
https://doi.org/10.1007/s11182-013-9901-2
2013
Admittance in MIS Structures Based on Graded-GAP MBE p-Hg1–х Cd х Te (x = 0.22–0.23) in the Strong Inversion Mode
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. М. Dzyadukh S. М. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2014, T. 57, p. 1070–1081
https://doi.org/10.1007/s11182-014-0345-0
2014
Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-Hg1–х Cd х Te (x =0.22–0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. М. Dzyadukh S. М. Dzyadukh , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Мikhailov N. N. Мikhailov , V. D. Kuz’min V. D. Kuz’min , V. G. Remesnik V. G. Remesnik
Российский физический журнал, 2014, T. 57, p. 707–716
https://doi.org/10.1007/s11182-014-0294-7
2014
Special Features of Admittance in Mis Structures Based on Graded-Gap MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.31–0.32) in a Temperature Range OF 8–300 K
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. М. Dzyadukh S. М. Dzyadukh , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Мikhailov N. N. Мikhailov , V. D. Kuz’min V. D. Kuz’min , V. G. Remesnik V. G. Remesnik
Российский физический журнал, 2014, T. 57, p. 633–641
https://doi.org/10.1007/s11182-014-0286-7
2014
Differential Resistance of Space Charge Region in MIS Structures Based on Graded-Gap MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.23) in a Wide Temperature Range
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. М. Dzyadukh S. М. Dzyadukh , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , V. S. Varavin V. S. Varavin , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Мikhailov N. N. Мikhailov , V. D. Kuz’min V. D. Kuz’min , V. G. Remesnik V. G. Remesnik
Российский физический журнал, 2014, T. 57, p. 536–544
https://doi.org/10.1007/s11182-014-0272-0
2014
Effect of Pulse Nanosecond Volume Discharge in Air at Atmospheric Pressure on Electrical Properties of Mis Structures Based on p-HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , D. V. Grigor’ev D. V. Grigor’ev , V. F. Tarasenko V. F. Tarasenko , M. A. Shulepov M. A. Shulepov
Российский физический журнал, 2015, T. 58, p. 970–977
https://doi.org/10.1007/s11182-015-0597-3
2015
Hysteresis Phenomena in mis Structures Based on Graded-Gap MBE Hgcdte with a Two-Layer Plasma-Chemical Insulator SIO2/SI3N4
А. V. Voitsekhovskii А. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2015, T. 58, p. 540–551
https://doi.org/10.1007/s11182-015-0532-7
2015
Temperature and Field Dependences of Parameters of the Equivalent Circuit Elements of MIS Structures Based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the Strong Inversion Mode
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2016, T. 59, p. 920–933
https://doi.org/10.1007/s11182-016-0855-z
2016
Peculiarities of Determining the Dopant Concentration in the Near-Surface Layer of a Semiconductor by Measuring the Admittance of MIS Structures Based on P-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular Beam Epitaxy
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2016, T. 59, p. 284–294
https://doi.org/10.1007/s11182-016-0769-9
2016
Temperature Dependences of the Product of the Differential Resistance by the Area in MIS-Structures Based on Cd x Hg1–x Te Grown by Molecularbeam Epitaxy on Alternative Si and GaAs Substrates
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , V. S. Varavin V. S. Varavin , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , S. A. Dvoretskii S. A. Dvoretskii , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , M. V. Yakushev M. V. Yakushev , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov
Российский физический журнал, 2017, T. 60, p. 360–370
https://doi.org/10.1007/s11182-017-1083-x
2017
Electron Concentration in the Near-Surface Graded-Gap Layer of MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.22–0.40) Determined from the Capacitance Measurements of MIS-Structures
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , D. V. Grigor’ev D. V. Grigor’ev , D. V. Lyapunov D. V. Lyapunov
Российский физический журнал, 2017, T. 60, p. 128–139
https://doi.org/10.1007/s11182-017-1051-5
2017
Generation of Surface Defects in Epitaxial Cd x Hg1–xTe Layers by Soft X-ray Radiation of Laser Plasma
V. G. Sredin V. G. Sredin , A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , O. B. Anan’in O. B. Anan’in , I. I. Izhnin I. I. Izhnin , A. P. Melekhov A. P. Melekhov , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2018, T. 60, p. 2197–2200
https://doi.org/10.1007/s11182-018-1346-1
2018
Admittance of MIS-Structures Based on HgCdTe with a Double-Layer CdTe/Al2O3 Insulator
S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov , V. S. Varavin V. S. Varavin , V. V. Vasil’ev V. V. Vasil’ev , S. A. Dvoretsky S. A. Dvoretsky , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , M. V. Yakushev M. V. Yakushev
Российский физический журнал, 2018, T. 60, p. 1853–1863
https://doi.org/10.1007/s11182-018-1294-9
2018
Current-Voltage Characteristics of nBn Structures Based on Mercury Cadmium Telluride Epitaxial Films
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , S. A. Dvoretsky S. A. Dvoretsky , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov
Российский физический журнал, 2019, T. 62, p. 1054–1061
https://doi.org/10.1007/s11182-019-01813-w
2019
Admittance Characteristics of nBn Structures Based on Hgcdte Grown by Molecular Beam Epitaxy
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , S. A. Dvoretsky S. A. Dvoretsky , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov
Российский физический журнал, 2019, T. 62, p. 818–826
https://doi.org/10.1007/s11182-019-01783-z
2019
Admittance of Organic LED Structures with an Emission YAK-203 Layer
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , T. N. Kopylova T. N. Kopylova , K. M. Degtyarenko K. M. Degtyarenko , A. P. Kokhanenko A. P. Kokhanenko
Российский физический журнал, 2019, T. 62, p. 306–313
https://doi.org/10.1007/s11182-019-01713-z
2019
Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator
V. A. Novikov V. A. Novikov , A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , T. N. Kopylova T. N. Kopylova , K. M. Degtyarenko K. M. Degtyarenko , E. V. Chernikov E. V. Chernikov , V. M. Kalygina V. M. Kalygina
Российский физический журнал, 2019, T. 62, p. 90–99
https://doi.org/10.1007/s11182-019-01687-y
2019
Peculiarities of Modeling the Frequency Dependences of Admittance of MIS Structure Based on Organic P3HT Film with an Insulator Al2O3 Layer
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh
Российский физический журнал, 2019, T. 61, p. 2126–2134
https://doi.org/10.1007/s11182-019-01646-7
2019
Impedance of MIS Devices Based on nBn Structures from Mercury Cadmium Telluride
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , S. A. Dvoretsky S. A. Dvoretsky , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov , M. V. Yakushev M. V. Yakushev
Российский физический журнал, 2020, T. 63, p. 907–916
https://doi.org/10.1007/s11182-020-02117-0
2020
Admittance of Barrier Structures Based on Mercury Cadmium Telluride
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , S. A. Dvoretsky S. A. Dvoretsky , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov , M. V. Yakushev M. V. Yakushev
Российский физический журнал, 2020, T. 63, p. 432–445
https://doi.org/10.1007/s11182-020-02054-y
2020
Admittance of Pentacene- Based Mis-Structures with Two-Layer Insulator SiO2–Al2O3
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , T. N. Kopylova T. N. Kopylova , K. M. Degtyarenko K. M. Degtyarenko
Российский физический журнал, 2021, T. 64, p. 1281–1288
https://doi.org/10.1007/s11182-021-02454-8
2021
Dark Currents of Unipolar Barrier Structures Based on Mercury Cadmium Telluride for Long-Wave IR Detectors
A. V. Voitsekhovskii A. V. Voitsekhovskii , S. N. Nesmelov S. N. Nesmelov , S. M. Dzyadukh S. M. Dzyadukh , S. A. Dvoretsky S. A. Dvoretsky , N. N. Mikhailov N. N. Mikhailov , G. Yu. Sidorov G. Yu. Sidorov , M. V. Yakushev M. V. Yakushev
Российский физический журнал, 2021, T. 64, p. 763–769
https://doi.org/10.1007/s11182-021-02390-7
2021
Работа Год