Examples



mdbootstrap.com



Публикации
Работа Год
Certain characteristics of the etching of gallium arsenide single crystals
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1971, T. 14, p. 547–549
https://doi.org/10.1007/BF00817995
1971
Effect of the method of processing the surface of gallium arsenide on its micromorphology
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova
Российский физический журнал, 1972, T. 15, p. 1665–1667
https://doi.org/10.1007/BF01231254
1972
Electron microscope investigation of the morphology of the etched surface of gallium arsenide
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1972, T. 15, p. 722–725
https://doi.org/10.1007/BF00893043
1972
Micromorphology of autoepitaxial gallium arsenide: Effects of substrate orientation
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , V. A. Moskovkin V. A. Moskovkin , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1973, T. 16, p. 1469–1471
https://doi.org/10.1007/BF00894431
1973
Effects of crystallization temperature on the growth and doping of autoepitaxial gallium arsenide films
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , Yu. M. Rumyantsev Yu. M. Rumyantsev , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1973, T. 16, p. 794–797
https://doi.org/10.1007/BF00895692
1973
Investigation of transitional layers in epitaxial gallium arsenide: Micromorphology and electron distribution in the layers, in dependence on the growth time in an iodine system
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , F. A. Kuznetsov F. A. Kuznetsov , Yu. M. Rumyantsev Yu. M. Rumyantsev , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1973, T. 16, p. 189–195
https://doi.org/10.1007/BF00892672
1973
Effect of the means of substrate processing on the growth kinetics of autoepitaxial layers of gallium arsenide and their properties
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , L. P. Porokhovnichenko L. P. Porokhovnichenko , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , N. N. Ivanova N. N. Ivanova
Российский физический журнал, 1974, T. 17, p. 12–16
https://doi.org/10.1007/BF00889906
1974
Electron microscopy of growth surfaces on epitaxial films
L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. V. Masarnovskii L. V. Masarnovskii , L. N. Sysoeva L. N. Sysoeva , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1975, T. 18, p. 1074–1077
https://doi.org/10.1007/BF01110023
1975
Investigation of transition layers in epitaxial gallium arsenide detection of layers by decoration
L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , M. D. Vilisova M. D. Vilisova
Российский физический журнал, 1975, T. 18, p. 1166–1168
https://doi.org/10.1007/BF01110046
1975
Micromorphology of auto-epitaxial layers of gallium arsenide
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. P. Porokhovnichenko L. P. Porokhovnichenko
Химия и современные технологии, 1975, T. 18, p. 1258–1264
https://doi.org/10.1007/BF00892718
1975
Effect of dopant type on the formation of the growth relief of gallium arsenide in a chloride gas-transport system
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , L. P. Porokhovnichenko L. P. Porokhovnichenko , I. A. Vyatkina I. A. Vyatkina
Российский физический журнал, 1976, T. 19, p. 31–37
https://doi.org/10.1007/BF00894311
1976
Growth of gallium arsenide in a GaAs-AsCl3-H2 gas-transport system. 2. Growth mechanism
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. P. Porokhovnichenko L. P. Porokhovnichenko
Российский физический журнал, 1977, T. 20, p. 1551–1555
https://doi.org/10.1007/BF00897419
1977
Kinetics of formation of defects of the step stopping center (SSC) type in gas-phase epitaxy of gallium arsenide
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , G. F. Lymar' G. F. Lymar'
Российский физический журнал, 1979, T. 22, p. 672–674
https://doi.org/10.1007/BF00891572
1979
Growth mechanism for thin autoepitaxial silicon layers grown in a low-temperature chloride process
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , B. V. Orion B. V. Orion , I. M. Skvortsov I. M. Skvortsov
Российский физический журнал, 1979, T. 22, p. 157–161
https://doi.org/10.1007/BF00892008
1979
Investigation of anisotropic effects in vapor epitaxy of indium arsenide. I. Anistropy of growth rate and surface microrelief
G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , L. F. Lavrent'eva L. F. Lavrent'eva , A. E. Shubin A. E. Shubin , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1980, T. 23, p. 813–817
https://doi.org/10.1007/BF00892532
1980
Influence of supersaturation on the growth of gallium arsenide films in chloride gas-transport systems
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , V. A. Moskovkin V. A. Moskovkin , I. V. Ivonin I. V. Ivonin
Российский физический журнал, 1981, T. 24, p. 282–286
https://doi.org/10.1007/BF00891609
1981
Influence of crystallization temperature on growth rate of epitaxial gallium arsenide layers in the system GaAs-AsCl3-H2
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , V. G. Ivanov V. G. Ivanov , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , V. A. Moskovkin V. A. Moskovkin , S. E. Toropov S. E. Toropov
Российский физический журнал, 1982, T. 25, p. 859–862
https://doi.org/10.1007/BF00892410
1982
Influence of crystallization temperature on the structure of growth surfaces of epitaxial gallium arsenide layers in the system GaAs-AsCl3-H2
L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , V. G. Ivanov V. G. Ivanov , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , V. A. Moskovkin V. A. Moskovkin
Российский физический журнал, 1982, T. 25, p. 863–867
https://doi.org/10.1007/BF00892411
1982
Anisotropy during vapor-phase epitaxy of indium arsenide
G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , G. F. Lymar' G. F. Lymar' , M. P. Ruzaikin M. P. Ruzaikin , A. E. Shubin A. E. Shubin
Российский физический журнал, 1982, T. 25, p. 322–325
https://doi.org/10.1007/BF00906201
1982
The growth rate of epitaxial InAs layers as a function of AsCl3 in the InAs-AsCl3-H2 system
G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Kasil'nikova L. M. Kasil'nikova , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , P. B. Pashchenko P. B. Pashchenko , A. E. Shubin A. E. Shubin
Российский физический журнал, 1983, T. 26, p. 1008–1010
https://doi.org/10.1007/BF00896661
1983
Dependence of the rate of growth of epitaxial layers of indium arsenide on the temperature of deposition in the system in As-AsC13-H2
G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , P. B. Paschenko P. B. Paschenko , A. E. Shubin A. E. Shubin
Российский физический журнал, 1984, T. 27, p. 379–383
https://doi.org/10.1007/BF00898605
1984
Phase interaction in GaAs contacts with group I metals and its relationship to the degradation of structures with a Schottky barrier
V. G. Bozhkov V. G. Bozhkov , K. V. Soldatenko K. V. Soldatenko , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , V. M. Zavodchikov V. M. Zavodchikov , A. A. Yatis A. A. Yatis
Российский физический журнал, 1985, T. 28, p. 704–709
https://doi.org/10.1007/BF00895518
1985
Electron-microscope studies of the surface of epitaxial GaAs layers in the proximity of the (111)A face
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , S. E. Toropov S. E. Toropov
Российский физический журнал, 1987, T. 30, p. 725–729
https://doi.org/10.1007/BF00897467
1987
Influence of the AsH3 inlet pressure on the growth of epitaxial gallium arsenide layers in the GaCl-AsH3-H2 system. Range of orientation (115)A-(001)-(115)B
G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , P. B. Pashchenko P. B. Pashchenko , M. V. Chekanova M. V. Chekanova
Российский физический журнал, 1988, T. 31, p. 759–763
https://doi.org/10.1007/BF00895989
1988
Solid-state recrystallization processes in Ni-GaAs and Pd-GaAs structures
L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya , N. K. Maksimova N. K. Maksimova , G. K. Arbuzova G. K. Arbuzova
Российский физический журнал, 1989, T. 32, p. 207–211
https://doi.org/10.1007/BF00897386
1989
Use of ab etchant for clarifying the structural-impurity inhomogeneties in epitaxial layers of GaAs
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , N. Ya. Karimova N. Ya. Karimova , N. N. Krivolapov N. N. Krivolapov , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva
Российский физический журнал, 1992, T. 35, p. 487–489
https://doi.org/10.1007/BF00558865
1992
Role of the substrate in the formation of structure defects representing step retardation sites during vapor phase epitaxy of gallium arsenide
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , N. N. Krivolapov N. N. Krivolapov , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , L. P. Porokhovnichenko L. P. Porokhovnichenko
Российский физический журнал, 1992, T. 35, p. 51–52
https://doi.org/10.1007/BF01324985
1992
Initial stages in the growth and development of junctions in heteroepitaxy of InP on GaAs
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , V. S. Lukash V. S. Lukash , S. V. Subach S. V. Subach , E. V. Chernikov E. V. Chernikov , A. N. Tarzimyanov A. N. Tarzimyanov
Российский физический журнал, 1996, T. 39, p. 571–575
https://doi.org/10.1007/BF02437023
1996
Structure and properties of epitaxial GaAs and InGaAs films grown by low-temperature molecular-beam epitaxy
I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , A. I. Veinger A. I. Veinger , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , D. I. Lubyshev D. I. Lubyshev , V. V. Preobrazhenskii V. V. Preobrazhenskii , M. A. Putyato M. A. Putyato , B. R. Semyagin B. R. Semyagin , S. V. Subach S. V. Subach , V. V. Chaldyshev V. V. Chaldyshev , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1998, T. 41, p. 885–893
https://doi.org/10.1007/BF02508721
1998
Physics of complex semiconductor crystals and their structure
V. N. Brudnyi V. N. Brudnyi , O. V. Voevodina O. V. Voevodina , V. G. Voevodin V. G. Voevodin , S. N. Grinyaev S. N. Grinyaev , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , G. F. Karavaev G. F. Karavaev , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva
Российский физический журнал, 1998, T. 41, p. 754–767
https://doi.org/10.1007/BF02510640
1998
Formation of a transition layer during heteroepitaxy of III–V compound semiconductors in gas-phase epitaxy systems
M. D. Vilisova M. D. Vilisova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , T. V. Korableva T. V. Korableva , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , V. S. Lukash V. S. Lukash , S. V. Subach S. V. Subach , I. T. Shulepov I. T. Shulepov , M. P. Yakubenya M. P. Yakubenya
Российский физический журнал, 1999, T. 42, p. 17–21
https://doi.org/10.1007/BF02508239
1999
The Effect of Flow Ratio between Elements of Groups III and V on the Structure and Properties of InGaAs Layers Grown by Low-Temperature Molecular-Beam Epitaxy
B. Bobrovnikova B. Bobrovnikova , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'yeva L. G. Lavrent'yeva , V. V. Preobrazhenskii V. V. Preobrazhenskii , M. A. Putyato M. A. Putyato , B. R. Semyagin B. R. Semyagin , S. V. Subach S. V. Subach
Российский физический журнал, 2000, T. 43, p. 816–820
https://doi.org/10.1023/A:1009476531833
2000
Effect of the Arsenic Concentration on the Characteristics of the Growth Step Echelon in GaAs Epitaxy
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova , L. L. Devyat'yarova L. L. Devyat'yarova
Российский физический журнал, 2002, T. 45, p. 997–1000
https://doi.org/10.1023/A:1022815017262
2002
Interaction of Growth Steps on the Surface of InAs Epitaxial Layers in Vapor-Phase Epitaxy
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. L. Devyat'yarova L. L. Devyat'yarova , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , G. A. Aleksandrova G. A. Aleksandrova
Российский физический журнал, 2002, T. 45, p. 638–642
https://doi.org/10.1023/A:1021115906200
2002
Study of the Surface Processes in Vapor-Phase Epitaxial GaAs: Asymmetric Trapping of Atoms at the Step
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. M. Krasil'nikova L. M. Krasil'nikova , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , L. P. Porokhovnichenko L. P. Porokhovnichenko
Российский физический журнал, 2002, T. 45, p. 493–497
https://doi.org/10.1023/A:1021088522941
2002
Influence of the Substrate Orientation on the Silicon Capture into A- and B- Sublattices of Gallium Arsenide in Molecular Beam Epitaxy
I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , L. G. Lavrent'eva L. G. Lavrent'eva , V. V. Preobrazhenskii V. V. Preobrazhenskii , M. A. Putyato M. A. Putyato , B. R. Semyagin B. R. Semyagin , S. V. Subach S. V. Subach , S. E. Toropov S. E. Toropov
Российский физический журнал, 2002, T. 45, p. 414–418
https://doi.org/10.1023/A:1020543427057
2002
Study of the Elementary Growth Processes During Vapor-Phase Epitaxy of Semiconducting III–V Compounds
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova
Российский физический журнал, 2003, T. 46, p. 577–584
https://doi.org/10.1023/B:RUPJ.0000008183.14752.fd
2003
Defects in the GaAs and InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy
L. G. Lavrentieva L. G. Lavrentieva , M. D. Vilisova M. D. Vilisova , I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , V. V. Preobrazhenskii V. V. Preobrazhenskii , V. V. Chaldyshev V. V. Chaldyshev
Российский физический журнал, 2006, T. 49, p. 1334–1343
https://doi.org/10.1007/s11182-006-0263-x
2006
The role of the adsortption layer in the formation of phase inhomogeneity at the InP/GaAs interface
I. V. Ivonin I. V. Ivonin , S. V. Subach S. V. Subach
Российский физический журнал, 2006, T. 49, p. 580–588
https://doi.org/10.1007/s11182-006-0146-1
2006
Physics of semiconductors and dielectrics theoretical and experimental study of surface Processes during vapor-phase epitaxy of III–V compounds
I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , S. E. Toropov S. E. Toropov
Российский физический журнал, 2006, T. 49, p. 455–460
https://doi.org/10.1007/s11182-006-0126-5
2006
Erosion of the GaAs target under irradiation by a high-power pulsed ion beam
Li Tszen’ Fen’ Li Tszen’ Fen’ , G. E. Remnev G. E. Remnev , M. S. Saltymakov M. S. Saltymakov , V. I. Gusel’nikov V. I. Gusel’nikov , V. A. Makeev V. A. Makeev , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , E. P. Naiden E. P. Naiden , V. I. Yurchenko V. I. Yurchenko
Российский физический журнал, 2007, T. 50, p. 66–70
https://doi.org/10.1007/s11182-007-0007-6
2007
Current limitation in A 3 B 5 nitride light-emitting diodes under forward bias
I. A. Prudaev I. A. Prudaev , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , O. P. Tolbanov O. P. Tolbanov
Российский физический журнал, 2012, T. 54, p. 1372–1374
https://doi.org/10.1007/s11182-012-9756-y
2012
Evolution of Surface Morphology of Anthracene Single Crystals Under Annealing
V. A. Novikov V. A. Novikov , R. M. Gadirov R. M. Gadirov , T. N. Kopylova T. N. Kopylova , T. A. Solodova T. A. Solodova , I. A. Bobrovnikova I. A. Bobrovnikova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , E. V. Tereshchenko E. V. Tereshchenko
Российский физический журнал, 2019, T. 62, p. 1073–1076
https://doi.org/10.1007/s11182-019-01816-7
2019
Influence of UV Radiation on the Processes Proceeding on the Anthracene Single Crystal Surface
V. A. Novikov V. A. Novikov , T. N. Kopylova T. N. Kopylova , I. V. Ivonin I. V. Ivonin , R. M. Gadirov R. M. Gadirov , E. V. Tereshchenko E. V. Tereshchenko , T. A. Solodova T. A. Solodova , K. V. Kareva K. V. Kareva
Российский физический журнал, 2020, T. 63, p. 599–606
https://doi.org/10.1007/s11182-020-02073-9
2020
Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics
S. S. Khludkov S. S. Khludkov , I. A. Prudaev I. A. Prudaev , L. O. Root L. O. Root , O. P. Tolbanov O. P. Tolbanov , I. V. Ivonin I. V. Ivonin
Российский физический журнал, 2021, T. 63, p. 2013–2024
https://doi.org/10.1007/s11182-021-02264-y
2021
Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs
S. S. Khludkov S. S. Khludkov , I. A. Prudaev I. A. Prudaev , O. P. Tolbanov O. P. Tolbanov , I. V. Ivonin I. V. Ivonin
Российский физический журнал, 2022, T. 64, p. 2350–2356
https://doi.org/10.1007/s11182-022-02596-3
2022
Работа Год